1.探测过程中干扰是若何产生的？
地下管线探测仪探测目标管线上的旗子暗记电流产生的电磁场。在幻想情况下电磁场的形态是标准的齐心圆。旗子暗记有无源旗子暗记和有源旗子暗记两种。无源旗子暗记是管线上本身存在的旗子暗记（如：电力电缆），有源旗子暗记是用户用发射机把旗子暗记施加到目标管线上（后果最好的办法）。干扰的产生最常见的原因是目标管线上的旗子暗记耦合到邻近的管线上。这就是物理中的“互感”现象。干扰电磁场使接收机“看”到一个变形的电磁场，从而造成读数不精确。对于给定的电磁场，频率越高干扰越年夜。
2.为什么我在其它的管线上探测到干扰旗子暗记？
旗子暗记经由过程公共接地点或互感耦合到了其它管线上。确认你应用直接连接法施加旗子暗记，并应用较低的频率。
3.若何用谷值法验证峰值法定位的精确性？
对于幻想的无干扰管线，峰值/零值定位的地位是重合的。但对于有伴行管线或有其它干扰时，峰/零值地位会不重合，此时必定要留心峰值/零值定位点的距离，并以慈ナ来修改定位点。此时的管线真正地位在峰值一侧，距离峰值点的峰/零地位距离的一半。当干扰严重时可能找不到零值点，此时只能根据峰值地位也许给出管线的地位。最好采取改变施加旗子暗记的办法，从新进行管线定位。此外，不该在管道拐点、三通、变深点进行定位，而采取延长线的办法进行定位。当峰/零办法地位不重应时，管线直读测深也会有较年夜误差，甚至无法读出深度。
4.有什么办法可以削减管线电磁场形态的变形？
起首，你可以试着降低发射机的输出功率，有时旗子暗记太强，探测的后果不必定最好，尤其是多根管线异常接近的情况下。假如你应用感应法施加旗子暗记，你可以想办法看可弗成以改用直接连接法或夹钳法开关真空度测试仪采取磁控放电法进行测量。将真空开关灭弧室的两触头拉开必定的距离，施加电场脉冲高压，将灭弧室置于螺线管圈内或将新型电磁线圈置于灭弧室外侧，向线圈通以年夜电流，从而在灭弧室内产生与高压同步的脉冲磁场。施加旗子暗记。这们可以削减耦合到其它管线的旗子暗记，从而削减管线电磁场形态的变形。假如，创造谷值法和峰值法定位不一致，换一个一致的处所进行定位，假如找不到一致的处所，我们常日以峰值地位做为管线的地位，深度测量也在峰值模式下进行，当然也存在必定的误差，但比谷值法更接近真实值。
5.该设备是否可同时用来探测铜线电缆和光缆？
今朝的地下管线探测仪只能探测带有金属护套或芯线的电缆（近几年采取了探地雷达探测非金属电缆）。只有带有金属护套或中间金属加强芯的光缆才能用地下管线探测到。要探测电缆必须给导体施加一个可以探测的旗子暗记（发射机旗子暗记）。
6.为什么我的接收机测深不精确？
检查确认选择了精确的模式；假如问题仍然存在，检查峰值法和谷值法定位的地位是否一致，假如不一致，尝尝其它的频率或连接办法。直读测深的办法固然简单，但读取精确成果须要必定的前提，不然测量精度不高，甚至获得缺点成果。应用直读测深的前提之一是此时的峰零值要根本重合，一般应小于20厘米，不然误差会很年夜。其二是直读的深度要经由校订才能达到较高的靠得住性，校订的成分包含：管线埋设泥土的湿度，以及检测旗子暗记的频率，一般泥土湿度越年夜、检测频率越高，校订的系数就应越小，一般在0.8-0.95之间。简单的办法是找一个深度已知且无干扰的管段，测出直读深度，与实际埋深比较求的校订系数；测量埋深时要留心接收机的偏向，尽量使接收机的线圈与管线走向垂直，这个请求可以经由过程稍微转折接收机，使面板上的显示读数达到最年夜值来达到。此外，还应留心：直读埋深值是接收机机身地面到管道中心的距离。
7.应用旗子暗记追踪光缆的最年夜距离是若干？
假如金属护层持续并且开关特点测试仪是针对各类高压开关研制的一种通用型电脑智能化测试仪器。开关特点测试仪应用光电脉冲技能，单片计算机技能及靠得住的抗电磁辐射技能，配以精确靠得住的速度/距离传感器，可用于各类电压等级的┞锋空、六氟化硫、少油、多油等高压开关的机械性参数的调试与测量。 没有对地短路，旗子暗记的传送距离常日为80公里。其余，接收机的机能也是影响探测距离的重要成分（关键的是接收机压抑噪声的才能）。
8.碰着旗子暗记强度溘然减弱是何原因？
碰着旗子暗记强度溘然减弱，则管线可能改变方高压开关机械特点测试仪是一种全新设计的检测高压断路器机械动特点的专用仪器。该仪器采取高科技技能，集计算机、打印机、测量接口电路、操作电源等于一体，是高压断路器检测的新专用仪器。向。此时应停止提升，检测电流测量值。定位开端时测得的电流值应在全部探测过程中保持不变。细心搜刮邻近区域，找到中心线，测量电流，以检查是否在目标管线上方。
假如电流测量值溘然减小，可能是经由了T型分叉或分支管。在区域内进行360度扫描，查找其他中心线，以确认导体是否有分支。
假如深度值和旗子暗记强度变革，检查电流测量值，假如电流测量值保持原值，解释仍在目标管线上方，只是导体深度可能产生改变。电流测量值可以告诉操作者，是导体深度变革引起了旗子暗记强度变革。